BSS123 SA SOT23 전자적 IC 칩 3은 표면 부착 설치를 고정합니다
전자적 IC 칩 3은 고정합니다
,SOT23 전자적 IC 칩
,전자적 IC 칩
새로운 원래 Bss123 Sa Sot23 집적 회로 IC 칩
제품 기술 :
적합한 SA 고속 스위칭 / 논리 레벨을 표시하는 BSS123 엔-채널 MOSFET 100V 170mA/0.17A SOT-23/SC-59
최대 소스-드레인 전압 Vds 드레인-소스 Voltage| 100V ---|--- 최대 게이트-소스 전압 Vgs(±) 게이트-소스 Voltage| 100V 최대 드레인 전류 Id 배수 Current| 170mA/0.17A 소스-드레인 On-resistanceΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce 온-상태 Ω/Ohmesistance| 3.4Ω/Ohm @1.7A,10V 켜짐 전압 Vgs(th) 게이트-소스 한계 Voltage| 0.8-1.2V Pd 권력 Dissipation| 360mW/0.36W 기술과 Applications| 엔-채널 논리 레벨 증가 모드 FET BSS100 : 0.22A, 100V. VGS = 10V. BSS123에 있는 RDS(ON)= 6W : 0.17A, 100V. RDS(ON)= 6W VGS = 10V 고밀도에 극단적으로 낮은 RDS(ON) 전압을 위한 셀설계는 소신호 스위치를 제어했습니다. 울퉁불퉁하고 믿을 만합니다. 기술 & 적용 | 엔-채널 논리 레벨 증가 모드 FET BSS100 : 0.22A, 100V. RDS(ON)=6W@VGS=10V. BSS123 : 0.17A, 100V. RDS(ON)=6W@ VGS= 10V 고밀도 배터리가 소신호 스위치를 제어하기 위해 극단적으로 낮은 RDS(ON) 전압으로 설계됩니다.
기술적 매개 변수 :
| 입력 커패시턴스 (CIS) | 73pF @25V(Vds) |
| 드레인-소스 저항 | 1.2 Ω 1.2 Ω |
| 손실 전력 | 360 mW |
| 문턱 전압 | 1.7 Ｖ |
| 드레인-소스 전압 (Vds) | 100 Ｖ |
| 설치 방법 | 표면 부착 |
| 핀 번호 | 3 |
| 패키지 | SOT-23-3 |
| 작동 온도 | -55C ~ 150C |
| 포장 | 테이프 & 릴 (TR) |