NTTFS3A08PZTAG 트랜지스터 Mosfet Ｐ 채널 20V 9A 8WDFN
분류:
트랜지스터 IC 칩
Price:
Discussible
결제 방법:
L/C (신용장), 인수 인도, D/P (지급도 조건), 전신환, 웨스턴 유니온, 머니그램
사양
타입:
Mosfet
패키지 형태:
WDFN-8
공급자 타입:
원 제조사, 소매업체인 ODM, 정부 기관, 다른 사람
이용 가능한 매체:
데이터 시트, 사진, 다른 EDA / CAD 모델들
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):
20 Ｖ
작동 온도:
-55 C~150 Ｃ
증가하는 타입:
표면 부착
패키지 / 건:
WDFN-8, WDFN-8
요소 수:
1
핀의 수:
8
맥스 작동 온도:
150 'Ｃ
요소 구조:
단일
민 작동 온도:
-55 'Ｃ
상승 시간:
56 나노 초
맥스 위의 Rds:
6.7 mΩ
로에스:
순응합니다
강조하다:
NTTFS3A08PZTAG 트랜지스터
,트랜지스터 Mosfet Ｐ 채널 20V
,Ｐ MOSFET 트랜지스터 9A
소개
NTTFS3A08PZTAG 트랜지스터 페트스 모스페트스 한 개의 P-CH 20V 9A 8WDFN P-채널
제품 기술 :
1. -20V,-15A,6.7 Mω, P-채널 파워 모스펫
2. P-채널 20V 9A (Ta) 840mW (Ta) 표면 부착 8 위드프킨 (3.3x3.3)
3. 트랜스 MOSFET P-CH 20V 22A 8-핀 WDFN EP 수입 담보 화물 보관증
4. 성분 -20V,-15A,6.7m, p 채널 전원 MOSFETMOS NTTFS3A08PZTAG
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시간 요구 :
인용 타임즈 지 : < 1mins=""> < 3mins=""> 배달 시간 : < 24="" hrs=""> < 48="" hrs=""> < 72="" hrs=""> PCB 타임즈 지 : < 72="" hrs=""> < 7="" days=""> PCBA 타임즈 지 : < 5="" days=""> * 위에서 말한 정보는 유휴 시간에 단지 정상소재에 적용할 수 있습니다.기술적 매개 변수 :
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